• 产品名称: GaSb晶体基片
  • 产品编号: jtlb45
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产品名称: 锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数:

单晶:

GaSb

掺杂:

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

导电类型:

P   P-    P+    N

载流子浓度
cm-3  :

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位错密度
cm-2  :

<103

生长方法及
最大尺寸 :

LEC Ø 3"

产品规格:
标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛,
表面粗糙度Ra:<15A              
可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

 

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