• 产品名称: Al2O3+AlN薄膜
  • 产品编号: 氮化铝(AlN)薄膜
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产品名称:

氮化铝(AlN)薄膜

 

产品简介:

AlN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!

 

技术参数:

蓝宝石衬底取向:

c轴(0001)±1.0deg

衬底:

Al2O3;SiC;GaN;

薄膜厚度:

10-5000nm

导电类型:

半绝缘型

位错密度:

XRD FWHM of <0002><500arcsec

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面积:

>80%

 

产品规格:

氮化铝(蓝宝石衬底):dia2"±1mm x1500nm±10%,单抛;

注:可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋

 

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