• 产品名称: InP晶体基片
  • 产品编号: jtlb37
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产品名称:

磷化铟(InP)晶体基片

 

技术参数:

单晶

InP

掺杂

None;Sn;S;Fe:Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度 4.78 g/cm3

导电类型

N;N;N;Si;P

折射率 3.45

载流子浓度cm-3

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位错密度cm-2

<5x104

生长方法

LEC

温度 1072℃

弹性模量

7.1E11dyn  Cm-2

产品规格:

标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,单抛;

          <100>, 10x10x0.5mm,单抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

标准包装: 1000级超净室,100级超净袋封装

 

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