• 产品名称: PMN-PT晶体基片
  • 产品编号: jtlb21
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产品名称:

PMN-PT晶体基片

 

产品简介:

用改进的Bridgman法生长出了高质量的大尺寸弛豫铁电单晶PMNT,该单晶具有优异的压电性能、非线性光学性能和热释电性能,不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料,而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体,欢迎国内外各科研院所和公司企业定购我们的单晶产品,进行相关的科学研究及器件研发和生产。

 

技术参数:

化学分子式:

(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x

结构:

R3mRhombohedral

晶格:

a0 ~4.024Å(pseudo-cubic, varies with composition )

熔点:

1280 oC

密度:

8.1 g/cm3

压电系数d33      

>2000 pC/N

轴接常数

k33   (longitudinal mode)                >92%              

kt     (thickness mode)              59-62%            

k33’   (beam mode)                       84-88%

介电常数e  

4000 – 6000 (at 1kHz after poling) 

介电损耗

tan d<0.9

居里温度:

135-150°C

矫顽场大概

2-3kV/cm 

标准尺寸

25× 25× 1mmplates along [001]

 

产品规格:

常规晶向:<100>, <001>, <111>

晶向公差:+/-0.5度

常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

 

典型性能

产品名称:

PMN-PT <001> 

密度:

8.1g/cm3

压电常数d33:

1800-2400 Pc/N

耦合系数:

0.6-0.65Kt

耦合系数:

0.9-0.0.95kp

介电常数:

5000-7000

损耗:

<1

居里温度:

145+/-3℃Zggx10(6)kg/m2s:29

 

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋封装

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