• 产品名称: SiC晶体基片
  • 产品编号: jtlb16
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产品名称:

碳化硅(SiC)晶体基片

技术参数:

晶胞结构

 六方

晶格常数

 a =3.08 Å      c = 15.08 Å

排列次序

 ABCACB  (6H)

生长方法

 MOCVD

方向

 生长轴或偏(0001) 3.5°

抛光

 Si面抛光

带隙

 2.93 eV (间接)

导电类型

 N

电阻率

 0.076 ohm-cm

介电常数

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

热导率@300K

 5 W / cm . K

硬度

 9.2 Mohs

 

产品规格:

掺杂类型:6H N型 <0001> 表示专门掺N的掺杂浓度10E18-10E194H N型半绝缘
常规尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm

抛光情况:单抛或双抛

表面粗糙度:Ra<10A

常规晶向 :<0001>现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,单抛 一种低电阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一种是高电阻率(>10^5 ohm.cm)

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋包装或单片盒、插盒装

 

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