• 产品名称: Ge晶体基片
  • 产品编号: v-07
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产品名称:

Ge晶体基片

产品简介:

化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。

技术参数:

晶体结构:

立方:a = 5.6754 Å;

生长方法:

提拉法;

密度:

5.765 g/cm3 

熔点:

937.4 ℃

热传导性:

640

掺杂物质:

不掺杂;掺Sb;掺Ga

类型:

/;N;P;

电阻率W.cm:

>35;0.05;0.05-0.1;

EPD:

 < 4x103/cm2;

 

产品规格:

晶体方向: <111>,<100>and<110>± 0.5o 

标准尺寸:dia1"x 0.50 mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm

(<110> Ra<5A,不化抛

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装:

1000级超净室100级超净袋或单片盒装

 

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