• 产品名称: Ga:ZnO晶体基片
  • 产品编号: v11
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产品名称:

Ga:ZnO晶体基片

产品简介:

II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

技术参数:

晶体结构:

六方   a= 3.252 A ,  c = 5.313 A

生长方法:

Melt

硬度:

4 moh scale

密度:

~5.0 g/cm3

熔点:

1975 oC

带隙:

3.37 eV

比热容:

0.125 cal/gm

传导性:

N type

电阻率:

0.04 ohm-cm  +/-  factor of 2 , N type

导热系数:

0.006 cal/cm/ oK

热膨胀系数:

2.90 x 10-6/oK

位错密度:

< 4 x 104 /cm2

表面粗糙度:

< 5 A

厚度:

0.35mm;  0.50mm  and  1.0mm

 

产品规格:

Ga:ZnO <0001> N+ type,镓掺杂,10x10x0.5mm锌面抛光;

Ga:ZnO <0001> N+ type,镓掺杂,5x5x0.5mm锌面抛光 

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装:

1000级超净室100级超净袋

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