• 产品名称: Cd1-xZnxTe晶体基片
  • 产品编号: v10
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产品名称:

Cd1-xZnxTe晶体基片

产品简介:

II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

技术参数:

晶体名称

Cd 1-x ZnxTe  

生长方法

Bridgeman

结构

  立方

晶格常数(A)

a = 6.483 – 6.446

密度 ( g/cm3)

5.605

熔点 (oC)

1975

热容  (J /g.k)

0.125

热膨胀系数(10-6/K)

6.5 // a  3.7 // c

类型

P-

导热系数( W /m.k at 300K )

30

透明波长(μ

0.4 ~ 0.6

电阻率(ohm-cm)

低 R: 5x104  高: R:> 106

载体浓度(cm-3

低 R: ~ 1015  高: R: ~ 1012

 

产品规格:

常规晶向:<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm;

抛光情况:细磨、单抛、双抛;

常规电阻率:R>1x10^6 Ω.cm;

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装: 1000级超净室100级超净袋
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