• 产品名称: In:ZnO晶体基片
  • 产品编号: v08
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产品名称:

In:ZnO晶体基片

 

 

 

技术参数:

 

 晶体结构 六方   a= 3.252 A ,  c = 5.313 A
 生长方法 Melt
 硬度 4 moh scale
 密度 ~5.0 g/cm3
 熔点 1975 oC
 带隙 3.37 eV
 比热容 0.125 cal/gm
 传导性 N type
 电阻率 0.04 ohm-cm  +/-  factor of 2 , N type
 导热系数 0.006 cal/cm/ oK
 热膨胀系数 2.90 x 10-6/oK
 位错密度 < 4 x 104 /cm2
 表面粗糙度 < 5 A
 厚度 0.35mm;  0.50mm  and  1.0mm

 

产品规格:

常规晶向:氧化锌 <0001> , N+ type, 掺杂;

常规尺寸:Ф25.4× 0.3mm、10x10 mm 、5 x 5 mm ;

厚度: 0.35 mm,  0.5 mm   and 1.0 mm ;

掺杂浓度: > 4E18 cm^-3;

电阻率:小于1 × 10 ^ -3Ω.cm;

注:可根据客户需求定制特殊的方向和大小

标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

 

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