• 产品名称: Hg(1-x)Cd(x)Te晶体基片
  • 产品编号: v03
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产品名称: Hg(1-x)Cd(x)Te晶体基片
产品简介:

II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

技术参数:

晶体名称

Hg(1-x)Cd(x)Te晶体基片

晶向

<100>

具体电阻率

> 10^7 ohm-cm

载流子浓度@ 77K

3E14/cm 3   

电子迁移率@77K

1.5E5 cm^2/(V.s)

切割波长@77K

from 3 micron to 40 micron

切割波长@300K 

from 3 micron to 40 micron

抛光

双方抛光

划痕/点

60/40

产品规格:

Hg(1-x)Cd(x)Te, x=0.17 <111>, Undoped ,N-type 10x10x0.5 mm, 2sp

Hg(1-x)Cd(x)Te, x=0.17 (111), Undoped ,N-type, dia15x0.5mm, 2sp

Hg(1-x)Cd(x)Te, x=0.43 (111), Undoped ,N-type, dia15x0.5mm,2sp 

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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