• 产品名称: 碳化硅(SiC)晶体基片
  • 产品编号: v01
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产品名称:

碳化硅(SiC)晶体基片

产品简介:

   

技术参数:

 晶胞结构

 六方

 晶格常数

 a =3.08 Å      c = 15.08 Å

 排列次序

 ABCACB  (6H)

 生长方法

 MOCVD

 方向

 生长轴或偏(0001) 3.5°

 抛光

 Si面抛光

 带隙

 2.93 eV (间接)

 导电类型

 N

 电阻率

 0.076 ohm-cm

 介电常数

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

热导率@300K

 5 W / cm . K

 硬度

 9.2 Mohs

 

产品规格:

常规晶向: <0001>;

掺杂类型: 6H N型 表示专门掺N的,掺杂浓度10E18-10E19;

          4H N型 或者半绝缘;
常规尺寸:dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm; dia3"x0.35mm、                 10x10mm、10x5mm;

抛光情况:单抛或双抛,Ra<10A;

我司现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,单抛 一种低电阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一种是高电阻率(>10^5 ohm.cm)

标准包装:

 1000级超净室100级超净袋或单片盒封装

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