• 产品名称: SiC 3C薄膜
  • 产品编号: SiC 3C
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
  • 产品型号:

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Specifications:

  • Film:  SiC Epi film with 3C structure grown by PECVD
    • Thickness: 1.26 micron  +/- 10%   (can be grown up to 20 micron th; the price would be increased with the requested film thickness)
    • Orientation: 3C SiC (100)
    • Surface: CMP  ( film chemical mechanical polished ) on both sides with Ra < 5 Angstrom
    • Target doping level:  < 1.0E16 /cc 
    • Type and dopant:  N type, Undoped
    • Surface defects density (microscopic inspection of crystallites or other macro-defects) <= 3E3cm^2
  • Silicon substrate:   
    • Size: 10mm x 10mm x 0.525 mm thickness 
    • Orientation: (100)
    • Type:  P type / B doped  ( N type is available as well) 
    • Resistivity: 1- 5 ohm.cm
    • Polish: one side polished

 

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