• 产品名称: GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
  • 产品编号: GaAs+AlGaAs+GaAs
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
  • 产品型号:

下载附件:

2英寸直径、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)沉积在未掺杂的GaAs (半绝缘)(100)晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜

 

基底

砷化镓取向:

(100)

掺杂与绝缘:

未掺杂,半绝缘

晶圆尺寸:

2英寸直径

电阻率:

1x10^7ohm.cm

抛光:

单面抛光

EPD:

<1x10^4 /cm^2

外延薄膜

第一层:

薄膜厚度1.0um  晶格匹配: Al(0.25)Ga(0.75)As: (100)

第二层(最上层):

顶层:GaAs膜厚130nm  GaAS N型号掺Si <100> ,载流子浓度:(Top) Layer 2: 130 nm, n-type GaAs:Si[100], Nc: (0.1-1)x10^18 /cc

背面:

背面我们可以预期沉积,但是我们不能保证表面相同的质量和粗糙度

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

标准包装,开盒即用:

                                                         型号及参数

掺杂元素

类型

载流子浓度( cm-3)

流动性( cm2/V.Sec)

电阻率( ohm-cm )

EPD(cm-2)

未掺杂

N

7.5-9.5  x1015

4300-4400

1.6E-1-4.5E-1

<5000

Sn

N

0.5~1.0 x1018

0.5~1.0 x1018

200 ~ 2400

1500 ~ 2000

0.001~0.002

0.0025~0.007

3~5 x104

Zn

P

0.8~2.0 x1018

2.5~4.0 x1018

2500 ~ 3500

1300 ~ 1600

0.0025~0.006

1~3 x104

Fe

半绝缘

N/A

1550-1640

(2.1-2.7)x107

<5000

 

 

相关产品

 

 

 

 

1

 

 

设备产品


加热炉系列
工业炉系列

 

晶体产品


科晶新晶体
A-Z系列

 

走进科晶


公司简介
企业文化

 

新闻中心


公司新闻
最新公告

 

全球代理


营销网络
全球代理
  

 

专业支持


科晶实验室
专业支持

 

联系我们


联系我们
在线留言

 

欢迎关注公众号

 

欢迎查看诚信档案

 
 

阿里巴巴集团  |  阿里巴巴  |  淘宝网  |  天猫  |  百度一下

 合肥科晶材料技术有限公司 版权所有  皖ICP备05009081号