• 产品名称: Ta+SiO2+Si+Cu薄膜
  • 产品编号: Ta+SiO2+Si+Cu
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
  • 产品型号:

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Specifications:

  • Cu <111> coated Si Wafer (4 inch size)
  • Thickness of highly oriented polycrystalline Cu <111> film: 400 nm
  • Thickness of Ta diffusion barrier: 20-50 nm
  • 4 inch dia x0.525 mm thickness Si wafer (Prime Grade) with thermal oxide: 300 nm thk
  • P type, B doped, <100> orientation, SSP
  • Resistivities: 1-20 ohm-cm
  • Surface Roughness:   as grown , N/A
  • Package: One 1000 class clean room with 100 class plastic bag
     

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