• 产品名称: 氧化硅(SiO2)晶体基片
  • 产品编号: gd03
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产品名称:

氧化硅(SiO2)晶体基片

产品简介:

氧化硅(SiO2)单晶水晶片是一种极好的基片用于无线通讯工业的微波滤波器,科晶公司可以为研究和工业生产提供高质量最低价格的水晶片,真诚欢迎您的垂询!

技术参数:

晶体结构:

六方     a= 4.914 Å   c = 5.405 Å

生长方法:

水热

硬度:

7.0   Mohs

密度:

2.684   g/cm3

熔点:

1610 C( 相转变点:573.1oC)

热容:

0.18  cal/gm

热电常数:

1200 mV /C @ 300 C

热导率:

0.0033  cal/cm/ o C

热膨胀系数 (x10-6oC):

a11: 13.71      a33:  7.48

折射率:

1.544

Q值:

1.8 x 106 min.

声速声表:

3160  ( m/sec  )

频率常数:

1661  ( kHz/mm )

压电偶合:

K2 (%)  BAW: 0.65  SAW:0.14       

包裹物:

IEC Grade II

TTV:

< 5 um

 

产品规格:

方向

Y, X 或Z 切:在30o ~ 42.75o ± 5分范围内旋转任意值;

主定位边:根据客户要求定方向± 30分 ;

次定位边:根据客户要求定方向 ;

籽晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm.

 

抛光面

外延抛光:单抛或双抛Ra < 5 Å ;

工作区域:基片直径-3mm ;

弯曲度:φ3" < 20 um,φ4"< 30 um ;

工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度< 0.5 mm ;

坑和划痕:每片<3,每100片<20 .

 

标准厚度

0.5 mm ± 0.05mm   

      

标准直径

dia2" (50.8mm )  dia3"(76.2mm)    dia4"(100mm)  ±0.5 mm

主定位边:22 ± 1.5 mm (f 3" )     32 ± 3.0 mm ( f 4" )

次定位边:10 mm ±1.5 mm

注:可按照客户要求加工尺寸和晶向

标准包装:

1000级超净室100级超净袋包装或者单片盒以及25片插盒装

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