• 产品名称: 坩埚(样品台)可移动型1200℃管式炉--OTF-1200X-S-HPCVD
  • 产品编号: OTF-1200X-S--HPCVD
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
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      OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩埚可炉管内移动(靠步进电机控制)的小型开启式管式炉。炉管直径为50mm,设备最高工作温度为1200℃。
      设备特点:坩埚通过一步进电机控制炉管,按照设定程序移动,同时坩埚后端安装一热电偶(随坩埚仪器移动),可实时监测样品的温度,意味着可通过移动坩埚的位置,在炉体中准确找到实验所需要的温度,使得实验准确度更高,重复性更强。此款设备可用于多种实验,比如HPCVD(hybrid physical chemical deposition),快速热蒸发,也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法来长晶体。

 

技术参数

高温炉部分

  • 炉体设计为开启式,以便于更换炉管
  • 工作电源:208 - 240 VAC, 50/60Hz
  • 最大功率为:2KW
  • 最高工作温度:1200℃(<1hr)
  • 连续工作温度:1100℃
  • 加热区长度:200mm
  • 恒温区长度:60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ )
  • 炉管:高纯石英管,尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)(点击图片查看详细资料)
  •               

温度控制系统

  • 采用PID30段程序化控温,其控温精度为+/-1℃
  • 控温仪表操作视频
  • 设有过热和断偶保护
  • 热电偶采用K型热电偶
  •  

真空密封

  • 采用KF结构密封法兰,硅胶密封圈密封
  • 法兰上安装有一机械压力表
  • 右端法兰与一个真空不锈钢波纹管连接(不锈钢波纹管最大伸缩幅度为150mm)
  • 真空度:10-2Torr(用机械泵抽)  10-5Torr(用分子泵抽)

坩埚移动机构&PLC控制

  • 一个直径为1/4"的欧米伽铠装热电偶(K型),通过法兰伸入到炉管中,并可随坩埚移动,可实时监测样品的实际温度。
  • 通过步进电机移动炉管内的坩埚(样品台),最大行程为100mm,移动精度为1mm
  • 通过触摸屏设定坩埚一定的距离和目标位置,坩埚移动速度为180mm/min(更精确的移动速度,可与本公司联系定制,需额外收费)
  • 可观察下图,了解坩埚与热电偶的安装方法
  •   

最大加热速率和冷却速率

可通过移动样品到已预加热的炉体中来得到最大的加热速率,也可将样品迅速移除高温的炉体,来得到最大的降温速率

最大加热速率

10/sec (150 - 250);
7/sec (250 - 350);
4/sec (350 - 500);
3/sec (500 - 550);
2/sec (550 - 650);
1/sec (650 - 800);
0.5/sec (800 - 1000);

最大降温速率

10/sec (950 - 900);
7/sec (900 - 850);
4/sec (850 - 750);
2/sec (750 - 600);
1.5/sec (600 - 500);
1/sec (500 - 400);
0.5/sec (400 - 300);

 

可选配件

  • 可选购手动挡板阀(图1)
  • 防腐型数显真空计(图4)
  • 快速连接法兰,以方便于放置样品(图2)
  • 多路质量流量计控制的混气系统,用于CVD和DVD实验(图5)
  •     

尺寸

     

质保

一年质保期,终生维护(不含加热元件、炉管和密封圈)

质量认证

注意事项

  • 炉管内气压不可高于0.02MPa
  • 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全
  • 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态
  • 进入炉管的气体流量需小于200SCCM,以避免冷的大气流对加热石英管的冲击
  • 石英管的长时间使用温度<1100℃
  • 对于样品加热的实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,必须立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂,法兰飞出等)

应用

  • 此款设备可用于多种实验,以下列出了几种实验方法
  • RTE(快速热蒸发):蒸发料放在坩埚中,放入到炉体中心,基片放在样品台上,样品台与热电偶相连接,然后将样品台移动到理想的位置(此位置温度是实验所需要的温度)
  • HPCVD(混合物理化学沉积):与RTE相似,但需配混气系统,对反应气体混合并控制流量,同时也需设定蒸发料的位置(确定蒸发料的蒸发温度)
  • 水平布里奇曼(Bridgman)法来长晶体:将样品和籽晶放入到坩埚中,并将坩埚放入到炉体中心位置,然后设定坩埚移动速度,慢慢移动坩埚

 

 

 

 

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