• 产品名称: 坩埚下降法单晶生长炉--SKJ-BG
  • 产品编号: SKJ-BG
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
  • 产品型号:

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    本公司可为客户设计制作坩埚下降法单晶生长炉,其最高工作温度可达1700℃,此系列设备专门针对于生长各种金属单晶和半导体单晶体。

 

技术参数

结构图

最高工作温度

  • 1200℃
  • 1500℃
  • 1700℃

炉体温度梯度

三个温度控制区
 

炉体移动行程

200-300mm

炉体移动速度

≥1.0mm/hr

载样台转速

 0 - 30  RPM

真空度

10-5Torr (采用分子泵抽)

控制界面

采用触摸屏控制界面,可设置和显示温度、移动速度、时间、行程、转速和真空度等参数

坩埚

石墨坩埚

本公司采用坩埚下降法所生长的金属单晶

  

  Al,Ag,,Au,,Cu,,Mg,,Ni 

 

 

 

 

1

 

 

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