• 产品名称: Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
  • 产品编号: xjt035
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
  • 产品型号:

下载附件:

产品名称

Si片外延AlN膜

产品简介

Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片

技术参数

AlN厚度

200nm ±10%, 单面镀膜

正面

 <2nm RMS,    as-grown

背面

silicon as received

AlN晶向

(00.2)      

宏缺陷密度

<10/cm^2

薄膜衬底:

Si [111] N type,  dia 4"  x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 单抛

 

常规尺寸:

dia 4" x0.5 mm,单抛;

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

相关产品
无此相关商品!

 

 

 

 

1

 

 

设备产品


加热炉系列
工业炉系列

 

晶体产品


科晶新晶体
A-Z系列

 

走进科晶


公司简介
企业文化

 

新闻中心


公司新闻
最新公告

 

全球代理


营销网络
全球代理
  

 

专业支持


科晶实验室
专业支持

 

联系我们


联系我们
在线留言

 

欢迎关注公众号

 

欢迎查看诚信档案

 
 

阿里巴巴集团  |  阿里巴巴  |  淘宝网  |  天猫  |  百度一下

 合肥科晶材料技术有限公司 版权所有  皖ICP备05009081号