• 产品名称: InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
  • 产品编号: xjt90
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产品名称:

InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3InP/InGaAs/InP  EPI on InP <100>)

 

产品参数:

薄膜生长方法:

MOCVD deposition

基底参数:

N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 

薄膜InP:

1um 厚;N型掺SiNc=~5E15/cc

薄膜In0.53Ga0.47As:

3.0±0.5µm 厚; N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc  

薄膜InP(top):

1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc 

 

常规尺寸:

dia3 x650±25um

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装

 

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