• 产品名称: InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi: Lattice matched p-type InGaAs:Zn)
  • 产品编号: xjt86
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产品名称:

InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi: Lattice matched p-type InGaAs:Zn)

常规尺寸:

dia 2;单抛

标准包装:

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

InP晶向:

<100>±0.5°with one flat 

InP掺杂类型:

不掺杂

InP尺寸:

dia 2inch x 0.35mm ±25um

Nc:

< 1E16/cc

EPD:

<1E4

薄膜参数:

In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

薄膜厚度:

1.0 um (+/- 5%)

抛光情况:

单抛

表面粗擦度:

Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)

 

 

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