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产品名称:
Ge on Si薄膜(P型掺B Ge epi-film on P-type Silicon)
产品简介:
技术参数:
Si基板参数:
掺杂类型:
P型掺B ;
晶向:
<100>
尺寸:
dia4"
厚度:
0.5-0.55mm
电阻率:
10-20Ω.cm
Ge 外延薄膜参数:
2um±3%
掺杂:
N型
掺杂浓度:
(1-5)E19/cc
产品规格:
dia4"x0.5mm;10x10x0.5mm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
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