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产品名称：
Ge on Si薄膜（P型掺B Ge epi-film on P-type Silicon）
产品简介：
技术参数：
Si基板参数：
掺杂类型：
P型掺B ;
晶向：
<100>
尺寸:
dia4"
厚度：
0.5-0.55mm
电阻率：
10-20Ω.cm
Ge 外延薄膜参数：
2um±3%
掺杂：
N型
掺杂浓度：
（1-5）E19/cc
产品规格：
dia4"x0.5mm；10x10x0.5mm
标准包装：
1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
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