• 产品名称: 磷化铟(InP)晶体基片
  • 产品编号: 磷化铟(InP)晶体基片
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产品名称:

磷化铟(InP)晶体基片

产品简介

 

技术参数:

单晶

InP

掺杂

None;Sn;S;Fe:Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度

4.78 g/cm3

导电类型

N;N;N;Si;P

折射率

3.45

载流子浓度cm- 

1-2x1016 1-3x1018 1-4x10186-4x1018

位错密度cm-2 

<5x104

生长方法

LEC

温度

1072℃

弹性模量

7.1E11dyn  Cm-2

 

常规尺寸:

常规晶向:<100>;

常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;

抛光情况:单抛或双抛; 

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋

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