• 产品名称: 砷化铟(InAs)晶体基片
  • 产品编号: 砷化铟(InAs)晶体基片
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产品名称:

砷化铟(InAs)晶体

产品简介

 

技术参数:

晶体结构

立方  a =5.4505 Å

生长方法:

CZ

导电类型:

N型

掺杂类型:

不掺杂

载流子浓度:

2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率:

>18500cm2/V.S 

 

常规尺寸:

常规晶向:<100>、<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋

 

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