• 产品名称: 砷化镓(GaAs)晶体基片
  • 产品编号: 砷化镓(GaAs)晶体基片
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产品名称:

砷化镓(GaAs)晶体基片

产品简介

 

技术参数:

单晶

砷化镓(GaAs)

掺杂:

None;Si;Cr;Te;Zn

导电类型:

Si;N;Si;N;P

载流子浓度cm-3:

/> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

位错密度cm-2:

<5x105

生长方法及最大尺寸:

 LEC & HB Ø3"

 

常规尺寸:

常规晶向:<100>、

常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;

抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A;

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋

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