• 产品名称: 硅(Si)晶体基片
  • 产品编号: 硅(Si)晶体基片
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产品名称:

硅(Si)晶体基片

 

产品简介:

化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

 

技术参数:

掺杂物质:

掺B

掺P

类型:

P

 N

电阻率Ω.cm:

10-3 ~ 40

10-3 ~ 40

EPD (cm-2 ):

≤100

≤100

氧含量( /cm3 ):

≤1.8 x1018

≤1.8 x1018

碳含量( /cm3 ):

≤5x1016

≤5x1016

 

常规规格:

晶体方向:<111>、<100>、<110> ± 0.5°  或  特殊的方向;

常规尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm;

表面粗糙度:Ra<10A

可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询!

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装

 

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