• 产品名称: 氮化铝(AlN)陶瓷基片
  • 产品编号: tc01
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产品名称:

氮化铝(AlN)陶瓷基片

产品简介:

热导率高,电性能好,热胀系数与Si片接近,无毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体制冷等产品中作高性能基片材料和封装材料。

技术参数:

 型号

 SD5111

 SD5113

 SD5115

 SD5116

 密度:

 >3.2

 >3.25

 >3.25

 >3.26

 热导率:

 80~100

100~130

140~170

 >170

 热膨胀系数:

 <4.5

 <4.3

 <4.3

 <4.2

 耐电强度:

 >15

 >15

 >15

 >15

 介电系数

 9.0

 8.7

 8.7

 8.7

 tgδ

3~10

3~7

3~7

 3~7

 体电阻率

>1013

>1014

>1014

>1014

抗折强度

 >20

>25 

 >28

 >30

 

产品规格:

常规尺寸:2"x2"x 0.5mm,单抛或双抛;

        10x10x0.5mm,单抛或双抛;

纯度:>99%

表面粗糙度Ra< 100A

注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸

标准包装:

1000级超净室100级超净袋包装

 

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