1300℃高压助溶剂法晶体生长炉
型号:
CM-HIP-3-II
产品概述:
1300℃高压助溶剂法晶体生长炉如图片所示,采用内加热方式,钼丝为加热元件,钼+不锈钢反射屏为隔热材料。腔室为不锈钢材质,在1300℃以内可以承受10Mpa的高压。是采用助溶剂法生长氮化镓(GaN)等晶体材料的理想设备。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称型号

· 1300℃高压助溶剂法晶体生长炉  CM-HIP-3-II


结构

· 腔体采用SS304不锈钢制作

· 腔体上安装有安全阀(当腔体压力超过设置的最大值时,安全阀将自动泄压)

· 不锈钢腔体外安装有一防爆箱

· 设备安装有移动轮,方便移动

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基本参数

· 总功率:12 KW

· 电源:三相AC 380V 50/60HZ

· 加热元件:钼丝

· 最高加热温度:1300℃

· 最大压力:10MPa

· 建议升温速率:4℃/min

· 加热区高度: 120mm+120mm(双温区独立控温)


炉腔与法兰

· 腔体采用SS304不锈钢制作(带有水冷夹层,设备中配有水冷机)

· 腔体尺寸:φ320mm(外腔)*φ235mm(内腔)*413mm(高度不含法兰盖)

· 腔体内部加热区尺寸:φ110 * 240(120+120) mm

· 可放入坩埚尺寸:≤ φ90mm*100mm(H)

· 腔体上盖安装有压力传感器实时监测腔体内的压力变化

· 腔体采用双重安全保护的设计思路,同时安装有电磁安全阀和机械安全阀,当腔体压力超过最大上限压力时,安全阀将自动进行排气

· 安全阀上限压力范围:≤11MPa

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· 腔体上盖中间位置安装了一截细长型的小腔室,一个强磁钢套在小腔室外部,腔室内部安装有磁性金属杆,金属杆下端安装了一个陶瓷杆,陶瓷杆尾段有螺纹用于固定样品;提拉杆穿过腔体上盖和坩埚盖到达腔体内部样品的位置。腔体上盖安装了一个电动滑台,强磁钢一端固定在滑台上,通过磁钢的移动带动腔体内部的样品上下移动

· 提拉杆移动速度:5—100mm/min(可调)

· 提拉杆提拉行程:80mm

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温控系统与触摸屏

· 包含两个控温仪表,每个温区单独控制

· PID自动控温系统

· 控温精度:±1℃

· 热电偶:采用进口欧米茄C型热电偶

· 设备标配一个触摸屏,可在触摸屏上设置两个仪表的升温程序

· 可在触摸屏上查看设备的升温曲线,并可保存和导出数据

· 可在触摸屏上设置实验所需要的压力;实验时腔体内部的压力实时显示

· 水冷设备、真空泵、以及真空阀门等均可在触摸屏上进行开启与关闭

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最高工作压力

· 10MPa(1300℃时)(充5个9高纯氩气)

· 腔体上安装有安全阀(当腔体压力超过设置的最大值时,安全阀将自动泄压)

· 工作气体:Ar, N2


真空系统

· 一台双级旋片式真空泵,真空泵型号:VRD-48;

· 配备VRD-48真空泵能够达到的真空度 5*10-2 torr(冷态下,抽真空30min)

· 可根据客户需要选配分子泵系统(具体要求可与销售联系定制)

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· VRD-48  

· 抽气速率:13.3 L/S

· 极限压力:4*10-1Pa(不带负载,单独机械泵)

· 额定功率:1500


水冷系统

· 设备需要配置一台CW-6200的水冷机,用于对高压腔室和加热电极进行水冷保护

· 输入电压:220-240V  50HZ

· 输入电流:0.5-4.5A

· 最大功率:1.8KW

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空气压缩机

· 功率:370W

· 压力:0.8MPa

· 电源:220V 50HZ

· 排气量:49L/min


设备外形尺寸

· 防爆箱关闭:长1280mm*宽950mm*高1600mm

· 防爆箱开启:长1720mm*宽950mm*高2180mm

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重量

· 约700KG



  注意事项

· 热等静压炉升温速率不得超过6度/min,否则会造成炉膛开裂和加热丝断裂。

· 法兰表面的温度很高,请注意不要触摸,防止烫伤。

· 该设备可正常烧制到1300℃,最高压力为10MPa(在高纯氩气环境下),请不要过温或过压使用。

· 不得通氯化物、硫化物等易腐蚀的气体,否则容易损坏法兰,波纹管(选配)等不锈钢材质的配件。

· 由于加热元件是钼丝,在高温下容易氧化,故只能通入高纯氩气,氮气等惰性气体,不可通入氧气,以免钼丝损坏。

· 炉内温度变成常温后方可打开上盖。此时样品温度仍可能较高,请注意,或佩带手套或其他工具操作。


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