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GaSb晶体
产品概述:
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技术参数实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

锑化镓(GaSb)晶体基片


技术参数

单晶:

GaSb

掺杂:

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

导电类型:

P   P-    P+    N

载流子浓度
cm-3  :

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位错密度
cm-2  :

<103

生长方法及
最大尺寸 :

LEC Ø 3"


产品规格

标准尺寸:

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客户需求定制相应的方向和尺寸。


标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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