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GaP晶体
- 产品概述：
- 用作生产红、绿色LED的主要衬底材料，也是生产LED用量最大的衬底材料。
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如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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磷化镓(GaP)晶体基片 |
| 技术参数
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晶体结构： | 立方晶系 | 晶格常数： | a=5.4505 Å | 密度： | 4.13 g/cm3 | 熔点： | 1480 ℃ | 热膨胀系数： | 5.3×10-6/℃ | 热传导率： | 2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3 | 掺杂类型： | N型掺S ； N型不掺杂 | 电阻率W.cm | 0.03 ~0.3 | 生长方法： | 提拉法 |
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| 产品规格
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常规晶向： | | 公差： | ±0.5o | 常规尺寸： | dia2"x0.35mm ；10x10x0.35mm | 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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| 标准包装
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1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
| 晶体缺陷
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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