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Al2O3+GaN薄膜
- 关键字：
- 国外进口
- 产品概述：
- MOCVD方法制作AL2O3为衬底的GaN外延薄膜。国外进口材料，品质优质，欢迎选购
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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AL2O3+GaN 薄膜（进口料） |
| 产品简介
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MOCVD方法制作AL2O3为衬底的GaN外延薄膜。国外进口材料，品质优质，欢迎选购。 |
| 技术参数
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产品名称: | GaN 厚度4.5um | GaN 厚度2um ，3um | 掺杂类型: | N /Si | P/Mg | 常规尺寸： | dia2" +/-0.25mm； | dia2" +/-0.25mm； | 电阻: | 2.5E-3ohm-cm | 2.0-5.0 | 载流子浓度： | 1E19/cc | / |
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| 产品规格
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常规规格：dia2″ |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋或单片盒包装 |
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